低加速電圧および極低加速電圧で真の試料表面イメージングを達成

カラム内の信号の検出を向上させるために、Gemini 3 カラムの静電レンズとカラム内エネルギー選択型反射電子（EsB）フィルターグリッドが、どのようにしてカラム内を通過する電子の軌道の選別を容易にしているかをご紹介します。

フィルターグリッドの使用により、反射電子の信号選択性能が向上するため、低加速電圧で組成コントラストの高いイメージングが実現します。

この試料には、NiOドープCNT、タングステン合金、酸化ケイ素、アルミナドープナノ粒子が含まれています。

Inlens検出器のトポグラフィーイメージングとEsB検出器の組成コントラストイメージングにより、試料の組成差を明確に観察出来ます。
 

Gemini 3 カラムのナノツインレンズが、静電場、磁場の分布をうまくオーバーラップさせることにより、どのようにして試料表面の残留磁場を大幅に低減させているのかをご覧ください。低加速電圧イメージング時の二次電子を効率的に検出できるように設計されているInlens検出器と共に使用することにより、これらの特徴が磁性試料の場合に1 kV未満でのサブナノメートルのイメージングをサポートします。

磁性試料の高分解能イメージングは、0.9 mmというわずかな作動距離でイメージングされたため、試料にかかる磁場が非常に低いことがわかります。